二氧化硅 (SiO₂) 纯度：

超过 99.99%，确保最低杂质含量，以防止对半导体性能产生不利影响。

微量杂质：

铝、钙和铁等微量杂质含量极低，通常以百万分比（ppm）计，以避免污染。

羟基 (OH) 含量：

低于 30 ppm，保持低羟基含量对高温稳定性至关重要。

热学特性：

软化点：约 1710°C。

退火温度：约 1220°C。

这些高耐热性能使石英能够承受用于硅晶圆生产的区熔法（Czochralski 工艺）。

光学透过率：

近紫外光 (NUV) 范围内透过率超过 90%，这对于半导体工艺中的光学元件至关重要。

气泡含量：

几乎无气泡，以在加工过程中保持质量一致性。